在传统存储产品方面，10nm以下DRAM制造工艺正成为主流，并逐步向7nm工艺突破，通过“FinFET架构+TSV技术”提升密度、降低功耗。3D NAND堆叠层数突破400层后，“垂直堆叠”难度加剧，厂商转向“水平扩展+架构优化”，比如三星V-NAND的阶梯式架构、Kioxia的BiCS架构，同时引入“HKC（高K介质+金属栅）”技术，解决高层数堆叠的漏电、散热问题，制造工艺从“层数竞赛”转向“架构+工艺”双重竞争。
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文化文史和学习委员会落实十四届全国政协委员集中学习培训规划，牵头组织2期全国政协委员专题学习研讨班和中共二十届四中全会精神学习宣讲报告会，共1340余人次参加。全国政协办公厅举办各级政协委员和干部专题培训班23期，共4020人次参加；举办全国政协机关干部政治能力和履职能力提升专题培训班4期，共432人次参加，引导广大政协委员和机关干部自觉学思践悟党的创新理论，不断提高履职能力水平。
Presenter: Chris Vallance